非易失性存儲器方興未艾
現有的存儲器技術遇到了發展瓶頸。對更高密度、更低延遲和更低功耗的需求正在推動新型非易失性存儲器的應用。據市場研究公司Yole預計，新型非易失性存儲器的市場正快速增長，到2025年預計將達到62億美元。隨著人工智能不斷向邊緣發展，功耗正成為一個決定性標準。“人工智能、物聯網、大數據和5G的興起需要先進的下一代存儲器，這些存儲器必須能夠實現高速度和超低功耗，同時兼容領先的CMOS生產流程，以降低制造成本”，鐵電存儲器公司FMC的首席執行官Ali Pourkeramati說道。
在未來幾年，不斷發展的人工智能和5G技術將為存儲器市場帶來巨大機遇，并加速該市場增長。隨著新興技術在中國的迅速普及，中國將在未來發揮重要作用，并為快速增長的半導體需求做出巨大貢獻。國際市場研究機構（ResearchAndMarkets）的最新報告顯示，到2025年，中國將投資超過1000億美元用于擴張半導體產業版圖，其中對半導體存儲器的投資將超過200億美元。
鐵電存儲器公司FMC已經在非易失性存儲器技術的開發方面取得了重大進展，有望提供比新一代存儲器解決方案更加優越的性能。目前，該公司正與全球主要的半導體公司以及美國、歐洲和亞洲的代工廠展開密切合作。完成B輪融資將加速鐵電存儲器公司FMC的FeFET（鐵電場效應晶體管）和FeCAP（鐵電體電容器）技術的商業化，并將這些技術推向人工智能、物聯網和數據中心等呈指數級增長的市場。
將標準晶體管和電容器轉變為非易失性存儲器
鐵電存儲器公司的專利技術可以簡化二氧化鉿（HfO2）向鐵電存儲單元的轉變。這意味著每個標準的CMOS晶體管和電容器都可以成為一個非易失性存儲器單元，如FeFET或FeCAP。鐵電存儲器公司FMC的存儲器技術利用了二氧化鉿結晶的鐵電特性，將非晶態的二氧化鉿作為每個CMOS晶體管從平面結構到FinFET（鰭式場效應晶體管）的柵極隔離器材料。該公司的FeFET技術除了具有高速度、超低功耗、與CMOS兼容、低制造成本以及極端溫度穩定性外，還具有完全抗磁性和高抗輻射性。FeFETs和FeCAPs可以將現有設備集成到CMOS的生產線中，無需額外的資本投入。
世界一流的團隊和投資者
鐵電存儲器公司FMC的管理團隊在半導體和存儲器行業擁有豐富的經驗，被公認為鐵電存儲領域的一流團隊之一。領投方M Ventures和imec.xpand以及跟投的博世創投、SK海力士（SK Hynix）、TEL Ventures等新一批投資者將與已有投資者易凱資本（eCapital）攜手，共同支持鐵電存儲器公司FMC在半導體全價值鏈中的發展，并助力該公司將先進的鐵電存儲器技術推向市場。
